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六氟乙烷
代號(hào)PFC-116，分子式：C2F6，高純六氟乙烷因其無毒無臭、高穩(wěn)定性而被廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體制造過程中，例如作為干刻蝕劑（Dry Etch）、化學(xué)氣相沉積（CVD, Chemical Vapor Deposition）、后腔體的清洗劑。六氟乙烷作為干法刻蝕劑，可用于集成電路中的等離子刻蝕，在RF（射頻）下能解離出高活性的氟離子，主要用于反應(yīng)器內(nèi)表面硅、硅化合物的刻蝕。六氟乙烷作為干刻蝕劑具有邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微、高刻蝕率及高精確性的優(yōu)點(diǎn)，可以極好地滿足此類線寬較小的制程的要求。六氟乙烷也可作為清洗劑，主要用于半導(dǎo)體化學(xué)相沉積CVD腔體的清洗。在以傳統(tǒng)硅甲烷（SiH4）為基礎(chǔ)的各種CVD制程中，六氟乙烷作為清洗氣體與硅烷相比更具優(yōu)越性，主要表現(xiàn)在排放低、氣體利用率高、清洗效率高和設(shè)備產(chǎn)出率高。
| 化學(xué)名稱 | 1,1,1,2,2,2-六氟乙烷 |
| 別名 | 六氟化碳, 六氟乙烷，全氟乙烷,鹵碳116, PFC-116, CFC-116, R-116, Arcton 116, Halon 2600, UN 2193 |
| CAS號(hào) | 76-16-4 |
| ELINCS號(hào) | 200-939-8 |
| 化學(xué)式 | C2F6 |
| 結(jié)構(gòu)式 | C2F6 |
| 分子量 | 138.01 |
| ODP（CFC-11 = 1） | 0 |
| GWP100（CO2 = 1） | 12600 |
| 大氣壽命（年） | 10000 |
| TWA（8-hr, mg/m3） | 2.5 |
| 化學(xué)名稱 | 1,1,1,2,2,2-六氟乙烷 |
| 沸點(diǎn)（℃） | -78.2 |
| 熔點(diǎn)（℃） | -100.6 |
| 液體密度（-78.2 ℃,kg/m3） | 1608 |
| 蒸汽密度（空氣=1） | 4.823 |
| 飽和蒸氣壓(psig) | 430.3 |
| 臨界溫度（℃） | 19.9 |
| 臨界壓力（bar） | 30.537 |
| 臨界密度 （kg/m3） | 623.53 |
| 水中溶解度 | 不溶 |
| 閃點(diǎn)（℃） | 不適用（不可燃） |
| 可燃性（@21 ℃） | 不適用（不可燃） |
| 爆炸極限（%vol) | 不適用（不可燃） |
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| 純度 | 99.9% | 99.999% |
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| 鋼瓶規(guī)格 | 閥門 | 充裝量 |
| 10 L | ?CGA 660 / DISS 716 | 10 kg |
| 44 L | ?CGA 660 / DISS 716 | 43 kg |
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